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圖(tu)1。(a)x=0−0.2的(de)SGOC的(de)XRD圖(tu)譜(pu)。(b)Sc2O3的(de)晶體結構。(c)Sc2O3中Sc1和Sc2位點的(de)協調環境。(d)Rietveld對x=0的(de)SGOC進(jin)行了(le)改進(jin)。(e)x=0−0.2時SGOC的(de)晶格(ge)參數。(a)中的(de)星號符號表示(shi)Ga1.17Sc0.83O3雜質(zhi)相的(de)衍射峰。


圖(tu)3。Cr K邊XANES光(guang)譜和(b)EXAFS光(guang)譜的Cr K邊k2加權(quan)傅里葉變換。

圖4。SGOC中Cr3+和Cr4+發光的溫度依賴性。溫度依賴性發射光譜為(a)Cr3+在473nm處激發時和(b)Cr4+在980nm處激發時,x=0.10。(c)x=0和0.10時fwhm的溫度依賴性。(d)x=0和0.10時Cr3+和Cr4+的總排放強度。紫色圓圈和綠點分別表示x=0和x=0.10中的Cr4+。青色圓圈和紅色圓點分別表示x=0和x=0.10中的Cr3+。實線表示使用公式(4和5)對實驗數據的擬合。x=0.10時(e)Cr3+和(f)Cr4+離子的構型坐標圖。

圖5。SGOC中(zhong)Cr3+和(he)(he)Cr4+發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)的(de)(de)(de)壓(ya)(ya)力(li)(li)依賴性(xing),x=0.10。(a)473nm激(ji)(ji)發(fa)(fa)(fa)(fa)的(de)(de)(de)Cr3+發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)在不(bu)同壓(ya)(ya)力(li)(li)下(xia)的(de)(de)(de)歸(gui)一化(hua)RT發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)光(guang)譜。(b)相(xiang)變后的(de)(de)(de)Cr3+發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)。(c)用(yong)980nm激(ji)(ji)發(fa)(fa)(fa)(fa)的(de)(de)(de)Cr4+發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)在不(bu)同壓(ya)(ya)力(li)(li)下(xia)的(de)(de)(de)歸(gui)一化(hua)RT發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)光(guang)譜。(d)能量尺度(du)中(zhong)與壓(ya)(ya)力(li)(li)相(xiang)關(guan)的(de)(de)(de)排(pai)放變化(hua)。(e)相(xiang)變前(qian)Cr3+和(he)(he)Cr4+離子選(xuan)定能級的(de)(de)(de)壓(ya)(ya)力(li)(li)依賴性(xing)示意圖。黑色(se)實線(xian)(xian)和(he)(he)灰色(se)虛(xu)線(xian)(xian)與4 T2能級能量減(jian)少S有關(guan)?ω和(he)(he)2S?ω、 分別。

